Witam! Posiadam 2 kości pamięci
1-
Nazwa modułu Hyundai HYMD232 646A8R-H
Rozmiar modułu 256 MB (1 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC2100 (133 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (7.5 ns @ 133 MHz)
Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
Producent modułu pamięci
Nazwa firmy Hynix Semiconductor Inc.
2-
Właściwości modułu pamięci
Nazwa modułu Samsung M3 68L6523DUS-CCC
Rozmiar modułu 512 MB (1 rows, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Najwyższe opóźnienie CAS 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
Następne najwyższe opóźnienie CAS 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Producent modułu pamięci
Nazwa firmy Samsung
Ta Samsunga dopiero co zakupiona.Pisze na naklejce CL3 PC3200. Pamięć Hynix to CL 2.5 PC2100. Czy te pamięci będą ze sobą dobrze działały??
nikt tutaj nie jest wróżką na 99% będą działały