BSODY po dolozeniu 2gb ramu

witam, po dolozeniu 2 gb takich kosci: http://www.apollo.pl/store/show_detail/23199 zaczely pojawiac sie takie bledy:

http://img13.imageshack.us/my.php?image=51616995gk2.jpg

http://img4.imageshack.us/my.php?image=98476143ak4.jpg

http://img4.imageshack.us/my.php?image=27387881an5.jpg

http://img4.imageshack.us/my.php?image=42658362ap9.jpg

http://img4.imageshack.us/my.php?image=32390959gq3.jpg

system wlacza sie bez problemu, a bledy pojawiaja sie dopiero gdy uruchamiam jakis program

kosci na pewno sa sprawne, wkladalem je w roznych konfiguracjach (tylko nowe/stare, i mieszane)

moj komp:

Pamięć DDR2 2x1GB PC6400 800MHz Patriot LLK CL4 PDC22G6400LLK 2x

Zasilacz Corsair CMPSU-450VXEU 450W

Procesor Intel Core 2 Duo E6750 2.66GHz 4MB

Płyta Foxconn P35A-S

Karta Radeon X1950Pro PowerColor 512MB

Opisy błędów znajdziesz tutaj kody błędów.

Ale ja bym Tobie jednak radził także sprawdzić ponownie pamięci.

Sprawdź pamięć programem Memtest86+.

Załaduj w Biosie ustawienia zoptymalizowane.

Do Biosu wchodzisz wciskając klawisz DEL lub F2 przy starcie komputera. Na pierwszym ekranie po starcie będzie napis Press DEL to Enter Setup, wciskasz i wchodzisz. Wybierz Load Optimized Defaults, a jak nie ma to w zakładce Exit -> Load Default Settings (lub podobnie w zależoności od Biosu) i zapisz zmiany klawiszem F10. Na wszelkie pytania, odpowiedz Y (Yes).

dzieki, jak narazie wszystko dziala bez bledow ale mam pewne watpliwosci. jak kupilem kompa mialem podobne problemy i na innym forum poradzili mi zebym zmienil ustawienia w biosie na 4-4-4-12 i napiecie na 2,1V i to pomoglo. teraz w ustawieniach domyslnych sa inne wartosci i obawiam sie ze ten problem moze wrocic.

druga sprawa to to co everest pokazuje na temat tych kosci. te ktore kupowalem rok temu i teraz sa ze sklepu apollo. znalazlem je wpisujac dane z faktury i wydawalo mi sie ze sa to te same kosci, ale zauwazylem ze na obu jest inne napiecie. zastanawiam sie czy jest to jakis problem czy fakt bez znaczenia.

[DIMM1: Patriot Memory 6400LL Series]


    Właściwości modułu pamięci:

      Nazwa modułu Patriot Memory 6400LL Series

      Numer seryjny Brak

      Rozmiar modułu 1 GB (1 rank, 8 banks)

      Typ modułu Unbuffered DIMM

      Typ pamięci DDR2 SDRAM

      Szybkość pamięci DDR2-800 (400 MHz)

      Szerokość modułu 64 bit

      Napięcie modułu SSTL 1.8

      Metoda detekcji błędów Brak

      Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh


    Taktowanie pamięci:

      @ 400 MHz 5-5-5-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-51-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

      @ 266 MHz 4-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

      @ 200 MHz 3-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-26-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)


    Enhanced Performance Profile:

      Profile Name High Frequency

      Optimal Performance Profile Tak

      Szybkość pamięci DDR2-800 (400 MHz)

      Wartość napięcia 2.1 V

      Taktowanie pamięci 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)

      Row Cycle Time (tRC) 20T

      Command Rate (CR) 2T

      Write Recovery Time (tWR) 6T


    Własności modułu pamięci:

      Analysis Probe Nieobecne

      FET Switch External Wyłączone

      Weak Driver Obsługiwane


  [DIMM2: Patriot Memory PDC22G6400LLK]


    Właściwości modułu pamięci:

      Nazwa modułu Patriot Memory PDC22G6400LLK

      Numer seryjny Brak

      Rozmiar modułu 1 GB (2 ranks, 4 banks)

      Typ modułu Unbuffered DIMM

      Typ pamięci DDR2 SDRAM

      Szybkość pamięci DDR2-800 (400 MHz)

      Szerokość modułu 64 bit

      Napięcie modułu SSTL 1.8

      Metoda detekcji błędów Brak

      Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh


    Taktowanie pamięci:

      @ 400 MHz 5-5-5-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 21-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

      @ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 14-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

      @ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)


    Enhanced Performance Profile:

      Profile Name High Performance

      Optimal Performance Profile Tak

      Szybkość pamięci DDR2-800 (400 MHz)

      Wartość napięcia 2.2 V

      Taktowanie pamięci 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)

      Row Cycle Time (tRC) 20T

      Command Rate (CR) 2T

      Write Recovery Time (tWR) 6T


    Własności modułu pamięci:

      Analysis Probe Nieobecne

      FET Switch External Wyłączone

      Weak Driver Obsługiwane