Wersja AMD Sempron(tm) Processor 2800+
Częstotliwość zegara zewnętrznego 200 MHz
Maksymalna częstotliwość taktowania 3000 MHz
Bieżąca częstotliwość taktowania 1600 MHz
Typ Central Processor
Wartość napięcia 1.7 V
Stan Włączone
Typ gniazda do rozbudowy Socket 754
Oznaczenie gniazda Socket 754
Właściwości płyty głównej:
ID płyty głównej 12/05/2005-NF-CK804-6A61FG0KC-00
Nazwa płyty głównej Gigabyte GA-K8NE v2
Właściwości magistrali FSB:
Typ magistrali AMD Hammer
Rzeczywista częstotliwość taktowania 200 MHz
Efektywna częstotliwość taktowania 200 MHz
Częstotliwość taktowania HyperTransport 800 MHz
Właściwości magistrali pamięci:
Typ magistrali DDR SDRAM
Szerokość magistrali 64-bitowy(a)
DRAM:FSB Ratio CPU/10
Rzeczywista częstotliwość taktowania 161 MHz (DDR)
Efektywna częstotliwość taktowania 322 MHz
Przepustowość 2573 MB/sek
Informacje fizyczne płyty głównej:
Liczba gniazd procesora 1 Socket 754
Liczba gniazd rozszerzeń 3 PCI, 2 PCI-E x1, 1 PCI-E x16
Liczba gniazd pamięci 3 DDR DIMM
Urządzenia zintegrowane z płytą główną Audio, Gigabit LAN
Współczynnik postaci ATX
Rozmiar płyty głównej 240 mm x 300 mm
Mikroukład płyty głównej nForce4-4x
Typ procesora AMD Sempron, 1600 MHz (8 x 200) 2800+
Nazwa kodowa Palermo (Venice-256)
Seria DH-E6
Zbiór instrukcji x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Pamięć podręczna L1 kodu 64 KB (Parity)
Pamięć podręczna L1 danych 64 KB (ECC)
Pamięć podręczna L2 256 KB (On-Die, ECC, Full-Speed)
Informacje fizyczne procesora:
Typ obudowy 754 Pin uOPGA
Wymiary obudowy 4.00 cm x 4.00 cm
Liczba tranzystorów 68.5 milion(ów)
Technologia wykonania 9Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Rozmiar procesora (Die Size) 84 mm2
Napięcie We /Wy 1.2 V + 2.5 V
Maksymalna moc 67.0 W
[DIMM1: 73.G1797.9FG]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu 73.G1797.9FG
Numer seryjny 02308243h (1132605442)
Rozmiar modułu 512 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
[DIMM2: M2G9JAHAMK9G081MAD]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu M2G9JAHAMK9G081MAD
Numer seryjny 823E3E93h (2470329986)
Rozmiar modułu 512 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
[DIMM3: SpecTek (256 MB PC3200 DDR SDRAM)]
Właściwości modułu pamięci:
Nazwa modułu SpecTek
Numer seryjny 180941CAh (3393259800)
Data produkcji Tydzień 23 / 2004
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us)
Taktowanie pamięci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Własności modułu pamięci:
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
jak do tego się zabrać krok po kroku?bo nie ukrywam że chciałbym choć troche go przyspieszyć :D//Dodano: 16.01.2010 (So) 12:33dodam:
Właściwości czujnika:
Typ czujnika ITE IT8712F (ISA 290h)
Typ czujnika procesora graficznego Driver (NV-DRV)
Nazwa płyty głównej Gigabyte K8NE
Stwierdzono otwieranie obudowy Nie
Temperatury:
Procesor 24 °C (75 °F)
Dioda procesora 27 °C (81 °F)
Procesor graficzny 58 °C (136 °F)
SAMSUNG HD160JJ 32 °C (90 °F)
Wentylatory:
Procesor 2722 RPM
Obudowa 757 RPM
Zasilacz 1562 RPM
Wartości napięć:
Napięcie rdzenia procesora 1.39 V
+3.3 V 3.36 V
+12 V 12.22 V
DIMM 2.58 V
Debug Info F 3E DF 6C
Debug Info T 26 24 69
Debug Info V 57 A1 D2 83 BF B5 7F (77)
zasilacz nowy:
POWER LC420H-12
//Dodano: 16.01.2010 (So) 14:52
co mam zacząć w tym przestawiać?
na fotce nie widać jeszcze HT Frequency ratio , tam jest na auto ustawione,czy ma być inaczej ?np x5,x4,x3,x2.5,x2,x1.5,x1 ?
//Dodano: 16.01.2010 (So) 17:12
zauważyłem że wartości niektóre się same zmieniają po włączeniu kompa,następne włączenie i będzie inna wartość