Karta graficzna i zasilacz,doradźcie mi coś

Witam. Jestem zapalonym graczem i planuję zakup nowej karty graficznej,ale niewiem czy mój zasilacz ją pociągnie. Obecnie posiadam kardę ATI radeon X550,a zasilacz to Feel 350 W oto link : http://www.allegro.pl/item384223592_zasilacz_modecom_feel_i_350w_sklep_wawa_f_v_gwar24.html .Karta jaką planuję kupić to Geforce 8600 gt link http://www.allegro.pl/item385924089_karta_geforce_8600_gt_gigabyte_256mb_promocja_.html . Czy mój zasilacz da sobie z nią rade i wszystko będzie ok,czy musze kupić nowy? jeżeli tak to jaki. podajcie jakieś propozycję, lub podajcie jakieś karty do 180 zł,(obsługujące pixel shader 4.0 najlepiej,lub ewentualnie 3.0 ) jakie pociągnie mój zasilacz. Chodzi mi głównie o uruchomienie gry mass effect która to wymaga pixel shader 3.0 gdyż na mojej karcie ze shaderem 2.0 niema szans na odpalenie:/ Pozdro.

musisz kupić nowy zasilacz, bo ten który masz to najgorszy syf jaki dostepny (Feel’e lubią palić kompy)

za 80zł masz Modecom MC-350 a za 130zł masz Modecom MC-400

podaj resztę sprzętu :slight_smile:

Zasilacz do zmiany, Modecom MC 350 ATX2.0

Grafika

http://www.allegro.pl/item383676786_asu … fv_gw.html

Jaka reszta kompa???

Dzieki za odpowiedź, reszta kompa czyli chipset ?? To chyba to : (dane z everesta)

Pole Wartość

Właściwości płyty głównej

ID płyty głównej 63-0100-000001-00101111-101905-RS400$410S1019_RC410L/800-M2 VER 1.0H 10/19/2005

Nazwa płyty głównej Nieznane

Właściwości magistrali FSB

Typ magistrali Intel NetBurst

Szerokość magistrali 64-bitowy(a)

Rzeczywista częstotliwość taktowania 133 MHz (QDR)

Efektywna częstotliwość taktowania 533 MHz

Przepustowość 4266 MB/sek

Właściwości magistrali pamięci

Typ magistrali DDR SDRAM

Szerokość magistrali 64-bitowy(a)

mostek północny

Pole Wartość

Właściwości mostka północnego (Northbridge)

Mostek północny (Northbridge) ATI RS400

Numer wydania 01

Technologia wykonania 0.13 um

Kontroler pamięci

Typ Dual Channel (128-bitowy(a))

Aktywny tryb Single Channel (64-bitowy(a))

Taktowanie pamięci

CAS Latency (CL) 3T

Liczba gniazd pamięci

Gniazdo DRAM nr 1 1024 MB (DDR SDRAM)

Gniazdo DRAM nr 2 512 MB (DDR SDRAM)

Kontroler PCI Express

PCI-E x16 port #0 W użyciu @ x16 (ATI Radeon X550 (RV370) Video Adapter)

Producent mikroukładu płyty głównej

Nazwa firmy ATI Technologies Inc.

Informacje o produkcie http://www.ati.com/products/integrated.html

Uaktualnienie sterowników http://www.ati.com/support/driver.html

mostek połódniowy

Pole Wartość

Właściwości mostka południowego (Southbridge)

Mostek południowy (Southbridge) ULi/ALi M1573

Numer wydania 31

Typ obudowy 628 Pin BGA

Wymiary obudowy 3.1 cm x 3.1 cm

Producent mikroukładu płyty głównej

Nazwa firmy ATI Technologies Inc.

Informacje o produkcie http://www.ati.com/products/integrated.html

Uaktualnienie sterowników http://www.ati.com/support/driver.html

Proc i ilość ramu.

procek

Pole Wartość

Właściwości procesora

Typ procesora DualCore Intel Pentium D 805, 2666 MHz (20 x 133)

Nazwa kodowa Smithfield

Seria B0

Zbiór instrukcji x86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3

Oryginalna częstotliwość taktowania 2667 MHz

Min. / Maks. mnożnik procesora 14x / 20x

Engineering Sample Nie

Pamięć podręczna L1 śledzenia 12K Instructions

Pamięć podręczna L1 danych 16 KB

Pamięć podręczna L2 1 MB (On-Die, ECC, ATC, Full-Speed)

Multi CPU

CPU #0 Intel® Pentium® 5 CPU 2.66GHz, 2660 MHz

CPU #1 Intel® Pentium® 5 CPU 2.66GHz, 2660 MHz

Informacje fizyczne procesora

Typ obudowy 775 Contact LGA

Wymiary obudowy 3.75 cm x 3.75 cm

Liczba tranzystorów 230 milion(ów)

Technologia wykonania 7M, 90 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, High-K Gate, Strained Si

Rozmiar procesora (Die Size) 206 mm2

Napięcie rdzenia 1.3 V

Napięcie We /Wy 1.3 V

Typowa moc 95 - 130 W (zależna od szybkości procesora)

Maksymalna moc 130 - 163 W (zależna od szybkości procesora)

Producent procesora

Nazwa firmy Intel Corporation

Informacje o produkcie http://www.intel.com/products/browse/processor.htm

Wykorzystanie procesora

Procesor nr 1 / rdzeń nr 1 / układ HTT nr 1 0 %

Procesor nr 1 / rdzeń nr 1 / układ HTT nr 2 4 %

ram

Pole Wartość

Pamięć fizyczna

W sumie 1535 MB

Użytych 499 MB

Wolne 1036 MB

Wykorzystanie 33 %

Rozmiar pliku wymiany

W sumie 2152 MB

Użytych 336 MB

Wolne 1816 MB

Wykorzystanie 16 %

Pamięć wirtualna

W sumie 3688 MB

Użytych 835 MB

Wolne 2852 MB

Wykorzystanie 23 %

Physical Address Extension (PAE)

Obsługiwane przez system operacyjny Tak

Obsługiwane przez procesor Tak

Aktywna Tak

Pole Wartość

Właściwości modułu pamięci

Nazwa modułu Kingston 99U5316-001.A02LF

Numer seryjny 170812AFh

Data produkcji Tydzień 49 / 2007

Rozmiar modułu 1024 MB (2 ranks, 4 banks)

Typ modułu Unbuffered

Typ pamięci DDR2 SDRAM

Szybkość pamięci DDR2-667 (333 MHz)

Szerokość modułu 64 bit

Napięcie modułu SSTL 1.8

Metoda detekcji błędów Brak

Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci

@ 333 MHz 5.0-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci

Early RAS# Precharge Obsługiwane

Auto-Precharge Obsługiwane

Precharge All Nieobsługiwane

Write1/Read Burst Nieobsługiwane

Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane

Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Differential Clock Input Nieobsługiwane

Redundant Row Address Nieobsługiwane

Producent modułu pamięci

Nazwa firmy Kingston Technology Company, Inc.

Informacje o produkcie http://www.kingston.com/products/default.asp

Pole Wartość

Właściwości modułu pamięci

Nazwa modułu GR533DD64L4/512

Numer seryjny Brak

Rozmiar modułu 512 MB (1 rank, 4 banks)

Typ modułu Unbuffered

Typ pamięci DDR2 SDRAM

Szybkość pamięci DDR2-533 (266 MHz)

Szerokość modułu 64 bit

Napięcie modułu SSTL 1.8

Metoda detekcji błędów Brak

Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci

@ 266 MHz 5.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 266 MHz 4.0-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 200 MHz 3.0-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci

Early RAS# Precharge Obsługiwane

Auto-Precharge Nieobsługiwane

Precharge All Nieobsługiwane

Write1/Read Burst Nieobsługiwane

Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane

Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Differential Clock Input Nieobsługiwane

Redundant Row Address Nieobsługiwane

to chyba wszystko