Ok, założyłem radiator i temperatura zmniejszyła sie o ok 10 stopni. Podkreciłem z 1.8GHz na 2.01GHz. Chciałbym jeszcze podkręcić, ale nie wiem jak bedzie z Ramem. Oto moje pamięci:
DIMM1: 256 MB PC3200 DDR SDRAM
Pole Wartość
Właściwości modułu pamięci
Numer seryjny 00303330h
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
DIMM2: 256 MB PC3200 DDR SDRAM
Pole Wartość
Właściwości modułu pamięci
Numer seryjny 00FFFFFFh
Data produkcji Tydzień 4 / 2005
Rozmiar modułu 256 MB (1 rank, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us)
Taktowanie pamięci
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
DIMM3: Nanya M2U51264DS8HC3G-5T (512 mb)
Pole Wartość
Właściwości modułu pamięci
Nazwa modułu Nanya M2U51264DS8HC3G-5T
Numer seryjny F2863211h
Data produkcji Tydzień 38 / 2005
Rozmiar modułu 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modułu Unbuffered
Typ pamięci DDR SDRAM
Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)
Szerokość modułu 64 bit
Napięcie modułu SSTL 2.5
Metoda detekcji błędów Brak
Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh
Taktowanie pamięci
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Własności modułu pamięci
Early RAS# Precharge Nieobsługiwane
Auto-Precharge Nieobsługiwane
Precharge All Nieobsługiwane
Write1/Read Burst Nieobsługiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane
Differential Clock Input Obsługiwane
Redundant Row Address Nieobsługiwane
Producent modułu pamięci
Nazwa firmy Nanya Technology Corp.
Porcesor po podkręceniu:
-2.01GHz (13.5 x 148)
Czy moge dalej podkręcać?