Ram co zrobic?


(Jacek Brechelke1) #1

Słuchajcie mam wielki problem

mam płyte głowną z dwoma wejsciami na pamiec ram i otuz mam wsadzone jedna pamiec 1 gb i gdy chce wsadzic druga pamiec 512 to mi nie wykrywa Dlaczego??

Właściwości płyty głównej:

ID płyty głównej 09/30/2005-Nforce3-A939-6A61CE1AC-00

Nazwa płyty głównej ECS nForce3-A

Właściwości magistrali FSB:

Typ magistrali AMD Hammer

Rzeczywista częstotliwość taktowania 200 MHz

Efektywna częstotliwość taktowania 200 MHz

Częstotliwość taktowania HyperTransport 800 MHz

Właściwości magistrali pamięci:

Typ magistrali Dual DDR SDRAM

Szerokość magistrali 128-bitowy(a)

Rzeczywista częstotliwość taktowania 201 MHz (DDR)

Efektywna częstotliwość taktowania 402 MHz

Przepustowość 6430 MB/sek

Informacje fizyczne płyty głównej:

Liczba gniazd procesora 1 Socket 754

Liczba gniazd rozszerzeń 5 PCI, 1 AGP

Liczba gniazd pamięci 2 DDR DIMM

Urządzenia zintegrowane z płytą główną Audio, LAN

Współczynnik postaci ATX

Rozmiar płyty głównej 200 mm x 300 mm

Mikroukład płyty głównej nForce3-250


(Goodprogram) #2

Jakie to ramy ?


(Jacek Brechelke1) #3

Właściwości modułu pamięci:

Nazwa modułu GR400D64L3/512

Numer seryjny Brak

Rozmiar modułu 512 MB (2 ranks, 4 banks)

Typ modułu Unbuffered

Typ pamięci DDR SDRAM

Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)

Szerokość modułu 64 bit

Napięcie modułu SSTL 2.5

Metoda detekcji błędów Brak

Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci:

@ 200 MHz 3.0-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci:

Early RAS# Precharge Nieobsługiwane

Auto-Precharge Nieobsługiwane

Precharge All Nieobsługiwane

Write1/Read Burst Nieobsługiwane

Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane

Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Differential Clock Input Obsługiwane

Redundant Row Address Nieobsługiwane

[DIMM2: AED760UD00-500C98X]

Właściwości modułu pamięci:

Nazwa modułu AED760UD00-500C98X

Numer seryjny 13010CF5h

Data produkcji Tydzień 4 / 2008

Rozmiar modułu 1024 MB (2 ranks, 4 banks)

Typ modułu Unbuffered

Typ pamięci DDR SDRAM

Szybkość pamięci PC3200 (200 MHz)

Szerokość modułu 64 bit

Napięcie modułu SSTL 2.5

Metoda detekcji błędów Brak

Szybkość odświeżania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pamięci:

@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Własności modułu pamięci:

Early RAS# Precharge Obsługiwane

Auto-Precharge Nieobsługiwane

Precharge All Nieobsługiwane

Write1/Read Burst Nieobsługiwane

Buffered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

Registered Address/Control Inputs Nieobsługiwane

On-Card PLL (Clock) Nieobsługiwane

Buffered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Registered DQMB Inputs Nieobsługiwane

Differential Clock Input Obsługiwane

Redundant Row Address Nieobsługiwane


(Agatonster) #4

jacekx ,

Poczytaj - Konkretne tematy... ze zwróceniem szczególnej uwagi na pierwszy post. Proszę poprawić tytuł tematu na konkretny, mówiący o problemie. W celu dokonania zaleconej korekty - proszę użyć przycisku ac7a4cd89050aa6e.gif